Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Роль сольватации сульфид-иона при модификации электронной структуры поверхностиGaAs
Лебедев М.В.
Лебедев М.В. Роль сольватации сульфид-иона при модификации электронной структуры поверхностиGaAs // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1347
Аннотация Предложена модель, в которой взаимодействие адсорбата (напримере сульфид-иона) с поверхностью GaAs рассматривается с учетом влияния сольватной оболочки. Спомощью квантово-химических расчетов показано, что сольватация адсорбата молекулами различных растворителей приводит к изменению соотношения между его акцепторной и донорной реакционными способностями, что оказывает определяющее влияние на его взаимодействие с поверхностными состояниями и, как следствие, на модификацию электронной структуры поверхности полупроводника.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален