Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияМосковский государственный институт электронной техники, 103498 Москва, Россия * Физический институт им.П.Н.Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Аналог эффекта Ганна притуннельном переносе между квантовыми ямами сразной подвижностью

Бирюлин П.И., Горбацевич А.А., Капаев В.В., Копаев Ю.В., Трофимов В.Т.

Бирюлин П.И., Горбацевич А.А., Капаев В.В., Копаев Ю.В., Трофимов В.Т. Аналог эффекта Ганна притуннельном переносе между квантовыми ямами сразной подвижностью // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1356

Аннотация Численно исследован электронный транспорт в гетероструктуре с туннельно-связанными квантовыми ямами в условиях сильной неодномерности потенциала в структуре. Рассчитаны вольт-амперные характеристики, распределение потенциала, подвижность и концентрация электронов в квантовых ямах. Численный метод основан на двумерном согласованном расчете квантовых и классических областей гетероструктуры. Впервые показано, что в таких гетероструктурах возможен эффект, аналогичный эффекту Ганна в однородном полупроводнике. Эффект обусловлен туннельным переходом электронов между квантовыми ямами с разной подвижностью и характеризуется образованием домена сильного поля и участком с отрицательным дифференциальным сопротивлением на вольт-амперной характеристике.