Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Оксфордский университет, OXI 3PH, Оксфорд, Великобритания ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Структурные и фотонные свойства нанокомпозитов опал--GaN

Голубев В.Г., Курдюков Д.А., Медведев А.В., Певцов А.Б., Сорокин Л.М., Хатчисон Дж.

Голубев В.Г., Курдюков Д.А., Медведев А.В., Певцов А.Б., Сорокин Л.М., Хатчисон Дж. Структурные и фотонные свойства нанокомпозитов опал--GaN // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1376

Аннотация Электронно-микроскопическими методами показано, что синтезированный в порах опала нитрид галлия имеет совершенную кристаллическую структуру. Из исследований спектров отражения установлено, что полученные нанокомпозиты опал--<нитрид галлия> сохраняют фотонно-кристаллические свойства исходной упорядоченной матрицы опала при любой(0-100%) степени заполнения пор опала нитридом галлия.