Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 Организация*Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия +Факультет технологии Токийского университета сельского хозяйства и технологии, 2-24-16 Накачо, Коганэй, Токио 184-8588, Япония ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотолюминесцентные свойства поликристаллических солнечных элементов ZnO / CdS / CuInGaSe2 принизкой температуре

Медведкин Г.А., Теруков Е.И., Сато К., Хасегава Ю., Хиросэ К.

Медведкин Г.А., Теруков Е.И., Сато К., Хасегава Ю., Хиросэ К. Фотолюминесцентные свойства поликристаллических солнечных элементов ZnO / CdS / CuInGaSe2 принизкой температуре // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1385

Аннотация Изучательные свойства высокоэффективных тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов ZnO / CdS / CuInGaSe2 исследованы при температуре T=20 K. Краевая полоса фотолюминесценции наблюдается в базовом приборе при энергии1.191 эВ, но исчезает после испытания неинкапсулированного прибора во влажной атмосфере (относительная влажность85%) при повышенной температуре (85oC). Длинноволновые полосы при1.13 и1.07 эВ, связанные с оптическими переходами через уровни дефектов в пленке--- поглотителе, сохраняют интенсивность и спектральное положение. Снижение эффективности преобразования солнечного элемента после испытания обусловлено деградацией верхних широкозонных пленок и гетерограницы между CdS иCuInGaSe2.