Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербуг, Россия *Институт физики Университета г.Вюрцбурга, D-97074 Вюрцбург, Германия +Лаборатория физики полупроводников Университета г.Ульма, В-89081 Ульм, Германия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Повышенная деградационная устойчивость сине-зеленых A IIB VI светодиодов, не использующих легированных азотом слоев на основе ZnSe

Гордеев Н.Ю., Иванов С.В., Копчатов В.И., Новиков И.И., Шубина Т.В., Ильинская Н.Д., Копьев П.С., Рейшер Г., Вааг А., Ландвер Г.

Гордеев Н.Ю., Иванов С.В., Копчатов В.И., Новиков И.И., Шубина Т.В., Ильинская Н.Д., Копьев П.С., Рейшер Г., Вааг А., Ландвер Г. Повышенная деградационная устойчивость сине-зеленых A IIB VI светодиодов, не использующих легированных азотом слоев на основе ZnSe // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1396

Аннотация Исследованы деградационные характеристики светоизлучающих p-i-n-диодов BeZnSe/Zn(Be)CdSe. Показано, что использование вместо p-легированного BeZnSe : N эмиттера нелегированных короткопериодных сверхрешеток, обеспечивающих эффективный перенос дырок из p+-BeTe : N приконтактной области (инжектора дырок) в активную область, позволяет значительно увеличить время жизни светодиодов при экстремально больших плотностях постоянного тока (~ 4.5 кА/см2) при комнатной температуре.