Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 198103 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сканирующая туннельная спектроскопия пленок a-C : H и a-C : H(Cu), полученных магнетронным распылением

Звонарева Т.К., Иванов-Омский В.И., Розанов В.В., Шаронова Л.В.

Звонарева Т.К., Иванов-Омский В.И., Розанов В.В., Шаронова Л.В. Сканирующая туннельная спектроскопия пленок a-C : H и a-C : H(Cu), полученных магнетронным распылением // ФТП, 2001, том 35, выпуск 12, Стр. 1460

Аннотация Методом сканирующей туннельной спектроскопии на воздухе исследованы пленки a-C : H и a-C : H(Cu) на полупроводниковой(Si) и металлической (Cr/Si) подложках, полученные магнетронным распылением мишени (соответственно графит или графит + медь) на постоянном токе. Определялась локальная плотность электронных состояний как нормированная дифференциальная туннельная проводимость с целью зондирования отдельных кластеров sp2-фазы. Для пленок a-C : H характерно наличие четкого края валентной зоны и разный вид (изменяющийся с координатой сканирования) распределения плотности электронных состояний в области зоны проводимости; наибольшее экспериментальное значение ширины запрещенной зоны составляет~ 3 эВ; наблюдается тенденция к устойчивому расположению уровня Ферми на энергии~ 1 эВ выше края валентной зоны. Пленки a-C : H(Cu) с точки зрения локальной плотности электронных состояний проявляют себя как однородные, что объясняется вероятным образованием в процессе роста однородного поверхностного слоя.