Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Прыжковая проводимость посильно локализованным примесным состояниям индия вPbTe и твердых растворах наегооснове
Равич Ю.И., Немов С.А. Прыжковая проводимость посильно локализованным примесным состояниям индия вPbTe и твердых растворах наегооснове // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 3
Аннотация
Рассматриваются результаты экспериментального исследования явлений переноса (электропроводности, коэффициентов термоэдс, Холла и Нернста--Эттингсгаузена) в PbTe и твердых растворах Pb1-xSnxTe сбольшим содержанием примесей In (до 20 ат%) при температурах до 400 K. Многие свойства изучаемых веществ подобны свойствам некристаллических материалов. Анализ экспериментальных данных производится на основе представления о прыжковой проводимости по сильно локализованным примесным состояниям, созданным атомами индия. Объяснены необычные для полупроводников типа AIVBVI температурные зависимости кинетических коэффициентов, изменение знака термоэдс при отрицательном коэффициенте Холла, положительный коэффициент Нернста--Эттингсгаузена. Из экспериментальных данных определены энергия активации прыжковой проводимости, характеризующая эффективный разброс примесных энергетических уровней, эффективный радиус волновой функции и плотность локализованных состояний как функция энергии. Изложению результатов исследования прыжковой проводимости предшествует краткое описание резонансных и глубоких локализованных электронных состояний, создаваемых примесью In в соединениях AIVBVI, особое внимание уделено особенностям примесных состояний в образцах с высокими концентрациями In, где наблюдается прыжковая проводимость.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален