Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние эффекта экранирования напассивацию дырочного кремния водородом

Александров О.В.

Александров О.В. Влияние эффекта экранирования напассивацию дырочного кремния водородом // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 24

Аннотация Проведено моделирование пассивации дырочного кремния в процессе диффузии водорода путем решения диффузионно-кинетических уравнений с учетом образования водородно-акцепторных пар, внутреннего электрического поля и эффекта экранирования. Экранирование свободными носителями ионов водорода и акцепторной примеси приводит к уменьшению их радиуса взаимодействия и ослаблению концентрационной зависимости коэффициента диффузии водорода при высоких уровнях легирования кремния. Соответствие расчетных и экспериментальных профилей дырок и водородно-акцепторных пар достигается в широком диапазоне уровней легирования кремния бором от4· 1014 до1.2· 1020 см-3 при энергии связи пар0.70-0.79 эВ. Радиус кулоновского взаимодействия ионов водорода и бора при слабом легировании составляет35 Angstrem иуменьшается с увеличением уровня легирования.