Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияВоронежский государственный университет, 394693 Воронеж, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Комбинированная методика исследования многокомпонентных спектров фотоотражения полупроводников

Кузьменко Р.В., Ганжа А.В., Домашевская Э.П.

Кузьменко Р.В., Ганжа А.В., Домашевская Э.П. Комбинированная методика исследования многокомпонентных спектров фотоотражения полупроводников // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 52

Аннотация Предлагается новая методика комбинированного исследования многокомпонентных спектров фотоотражения полупроводников, включающая всебя измерение спектров при изменении плотности и длины волны лазерного возбуждения вкомбинации сфазовым анализом спектра. Эффективность методики показана на примере анализа многокомпонентного спектра фотоотражения пассивированного гомоэпитаксиального образца Si3N4/n-GaAs/n+-GaAs.