Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия * Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Трансформация при отжиге вводороде состояний награницах раздела структур кремний-на-изоляторе

Антонова И.В., Стано Й., Николаев Д.В., Наумова О.В., Попов В.П., Скуратов В.А.

Антонова И.В., Стано Й., Николаев Д.В., Наумова О.В., Попов В.П., Скуратов В.А. Трансформация при отжиге вводороде состояний награницах раздела структур кремний-на-изоляторе // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 65

Аннотация Методом емкостной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование изменений при отжиге спектра состояний на границеSi/SiO2, полученной прямым сращиванием, и на границе Si(подложка)/<термический SiO2> в структурах кремний-на-изоляторе. Структуры создавались методом сращивания пластин кремния с расслоением одной из пластин по плоскости, ослабленной имплантацией водорода. Отжиг структур кремний-на-изоляторе проводился при430oC в течение15 мин в атмосфере водорода, что соответствует стандартному режиму пассивации состояний на границеSi/SiO2. Показано, что для границы Si/<термический SiO2> в структуре кремний-на-изоляторе имеет место пассивация граничных состояний водородом, в результате чего плотность ловушек существенно уменьшается и непрерывный спектр состояний во всей зоне заменяется полосой состояний в интервале энергийEc-(0.1/ 0.35) эВ. Для ловушек на сращенной границе Si/SiO2 происходит трансформация центров, а именно, наблюдается смещение полосы энергий состояний отEc-(0.17/ 0.36) эВ доEc-(0.08/ 0.22) эВ; сечение захвата на ловушки уменьшается примерно на порядок, а плотность наблюдаемых ловушек несколько увеличивается.