Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия * Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, 644077 Омск, Россия + Новосибирский государственный университет, ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Образование нанокристаллов кремния свыделенной ориентацией(110) ваморфных пленках Si : H настеклянных подложках принаносекундных воздействиях ультрафиолетового излучения

Ефремов М.Д., Болотов В.В., Володин В.А., Кочубей С.А., Кретинин А.В.

Ефремов М.Д., Болотов В.В., Володин В.А., Кочубей С.А., Кретинин А.В. Образование нанокристаллов кремния свыделенной ориентацией(110) ваморфных пленках Si : H настеклянных подложках принаносекундных воздействиях ультрафиолетового излучения // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 109

Аннотация С применением методик комбинационного рассеяния света установлено, что впленках аморфного кремния при наносекундных воздействиях ультрафиолетового лазерного излучения сплотностями энергии от 75 до 150 мДж/см2 образуются нанокристаллы кремния сразмерами от 2 нм и свыделенной ориентацией (110) по нормали кпленке. Всистеме взаимно ориентированных нанокристаллов Si экспериментально обнаружена анизотропная зависимость интенсивности комбинационного рассеяния света вразличных поляризационных геометриях, что позволило определить объемную долю ориентированных нанокристаллов. Эффект ориентации предположительно обусловлен влиянием как макроскопических полей упругих напряжений впленке, так и локальных полей упругих напряжений вокруг нанокристаллов.