Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников, 2600 Вильнюс, Литва
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Варизонный детектор ионизирующего излучения
Пожела Ю., Пожела К., Шиленас А., Ясутис В., Дапкус Л., Киндурис А., Юцене В. Варизонный детектор ионизирующего излучения // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 124
Аннотация
Исследован токовый отклик варизонных слоев AlxGa1-xAs на оптическое и рентгеновское излучение. Варизонное поле в слоях AlxGa1-xAs толщиной15 мкм с изменениемx от0 до0.4 обеспечивает полное собирание зарядов, генерируемых ионизирующим излучением, и позволяет получить ампер-ваттную чувствительность AlxGa1-xAs до0.25 А/Вт. Вслоях с пониженным легированием узкозонной стороны варизонного слоя AlxGa1-xAs вольт-ваттная чувствительность к рентгеновскому излучению с энергией ниже15 кэВ достигает в фотовольтаическом режиме1.6· 103 В/Вт.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален