Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Роль эффекта поверхностной сегрегации вформировании резких границ слоев вгетерокомпозициях Si/Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии скомбинированными источниками

Орлов Л.К., Ивина Н.Л.

Орлов Л.К., Ивина Н.Л. Роль эффекта поверхностной сегрегации вформировании резких границ слоев вгетерокомпозициях Si/Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии скомбинированными источниками // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 199

Аннотация Для системы Si1-xGex, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками Si--GeH4 в условиях эффективного заполнения поверхностных связей продуктами распада гидридов, измерены коэффициенты сегрегации атомов германия, что позволило в свою очередь впервые на основании разработанной кинетической модели роста определить для рассматриваемого метода эпитаксии отношение коэффициентов встраивания атомовSi иGe в растущий слой Si1-xGex. Для структур Si--Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками Si-GeH4, для широкой области значений технологических параметров проведено сопоставление роли различных механизмов (пиролиза, сегрегации и других) в формировании профиля металлургических границ слоев.