Профиль » Публикация

Аннотация Ионы серы имплантировали в полуизолирующий GaAs. Проводили фотонный (805oC / (10-12) с) и термический (800oC / 30 мин) отжиги образцов GaAs под пленкой SiO2, полученной различными способами. Содержание компонентов GaAs в пленке определяли по спектрам резерфордовского обратного рассеяния, концентрационные профили электронов измеряли методом вольт-фарадных характеристик. Показано, что диффузия серы происходит в двух направлениях--- к поверхности и в объем GaAs. Первый процесс стимулирован вакансиями, образующимися вблизи поверхности полупроводника при нанесении диэлектрика. Коэффициент "объемной" диффузии и диффузии серы к поверхности при фотонном отжиге на 2 порядка выше, чем при термическом; выше также степень активации примеси.