Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияИнститут проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Моделирование проникновения водорода вкремний p-типа впроцессе жидкостного химического травления
Феклисова О.В., Якимов Е.Б., Ярыкин Н.А. Моделирование проникновения водорода вкремний p-типа впроцессе жидкостного химического травления // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 301
Аннотация
Проведено моделирование проникновения водорода в Si p-типа и формирования водородсодержащих дефектов в процессе жидкостного химического травления. Рассчитанные профили распределения водородсодержащих дефектов сравнивались с измеренными. Показано, что в кристаллах с низкой концентрацией ловушек необходимо учитывать релаксацию распределения водорода после окончания травления. Учет такой релаксации позволяет описать все экспериментальные профили без предположения об аномально высоком коэффициенте диффузии. Сдругой стороны, предположение о большом коэффициенте диффузии водорода также позволяет описать экспериментальные профили и существенно уменьшает влияние релаксации. Показано, что сравнительный анализ профилей распределения водородсодержащих центров позволяет определять количество содержащихся в них атомов водорода как в случае, когда эти профили в основном формируются в процессе травления, так и в условиях, когда они существенно модифицируются релаксационной диффузией водорода.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален