Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Энергия внутренней ионизации всоединениях A IIB VI

Комащенко А.В., Комащенко В.Н., Колежук К.В., Шереметова Г.И., Фурсенко В.Д., Бобренко Ю.Н.

Комащенко А.В., Комащенко В.Н., Колежук К.В., Шереметова Г.И., Фурсенко В.Д., Бобренко Ю.Н. Энергия внутренней ионизации всоединениях A IIB VI // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 305

Аннотация Исследованы зависимости чувствительности поверхностно-барьерных гетероструктур типа p-Cu1.8S/n-AIIBVI от энергии возбуждающих квантов света или ускоренных моноэнергетических потоков электронов. Предложена методика определения и найдены экспериментально значения средней энергии внутренней ионизацииvarepsilon для прямозонных соединений AIIBVI. Показано, что связьvarepsilon с шириной запрещенной зоны полупроводника выражается зависимостью varepsilon=2.5Eg.