Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние типа винтовой составляющей дислокаций несоответствия наобразование пронизывающих дислокаций вполупроводниковых гетероструктурах

Труханов Е.М., Колесников А.В., Василенко А.П., Гутаковский А.К.

Труханов Е.М., Колесников А.В., Василенко А.П., Гутаковский А.К. Влияние типа винтовой составляющей дислокаций несоответствия наобразование пронизывающих дислокаций вполупроводниковых гетероструктурах // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 309

Аннотация Показано, что в гетероструктурах с границей раздела (001) и кристаллической решеткой типа алмаза и сфалерита полное снятие напряжений несоответствия за счет введения двух взаимно перпендикулярных семейств 60-градусных дислокаций несоответствия возможно лишь в случае одинаковых типов их винтовых составляющих. Впротивном случае требуется введение дополнительных семейств дислокаций несоответствия, что увеличивает вероятность образования пронизывающих дислокаций в эпитаксиальной пленке. При неоптимальном протекании процесса, когда вводятся два взаимно перпендикулярных семейства с противоположными типами винтовых составляющих, происходит накапливание избыточной энергии дальнодействующих сдвиговых напряжений. Примерами неоптимального введения дислокаций несоответствия является работа модифицированных дислокационных источников Франка--Рида и источников Хейгена--Шранка. Выполнено моделирование процесса релаксации и проведены экспериментальные исследования.