Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияНаучно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, 634045 Томск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Причины изменения статических вольт-амперных характеристик структур сбарьером Шоттки Me/n-n+-GaAs пригидрогенизации
Торхов Н.А. Причины изменения статических вольт-амперных характеристик структур сбарьером Шоттки Me/n-n+-GaAs пригидрогенизации // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 437
Аннотация
Исследованы причины уменьшения показателя идеальностиn и увеличения обратного напряженияUr структур с барьером Шоттки Au/n-n+-GaAs в результате обработки в атомарном водороде. Установлено, что вследствие обработки n-n+-GaAs в атомарном водороде существуют два процесса, приводящих к увеличению обратного напряженияUr и уменьшению коэффициента идеальностиn структур с барьером Шоттки. Впервом случае увеличение Ur и уменьшениеn происходит в результате понижения концентрационного профиля и образования обратного градиента концентрации ионизированной мелкой донорной примеси вn-слое, что вызвано пассивацией примеси водородом. Вовтором случае увеличениеUr и уменьшениеn связано с образованием тонкого (~8 нм) полуизолирующего приповерхностного слоя. Вобоих случаях увеличениеUr и уменьшениеn вызвано увеличением эффективной ширины потенциального барьера на контакте металл--полупроводник в результате изменения формы концентрационного профиля ионизированной мелкой донорной примеси.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален