Профиль » Публикация

Аннотация Исследована электролюминесценция в области длин волн 1.00--1.65 мкм в диодах на основе кремния, легированного эрбием и кислородом, Si : (Er,O), как в режиме пробоя p-n-перехода, так и в режиме прямого тока. Измерялась электролюминесценция при комнатной температуре с лицевой и обратной поверхностей диодов. В спектрах электролюминесценции некоторых диодов в режиме пробоя p-n-перехода наблюдался пик, соответствующий краю полосы поглощения кремния. Появление пика обусловлено инжекцией неосновных носителей заряда из металлического контакта в кремний и последующей межзонной излучательной рекомбинацией. Интенсивность зона-зонной рекомбинации эффективно возрастает после достижения определенной, зависящей от технологических условий, плотности тока. Пороговая плотность тока уменьшается с ростом температуры постимплантационного отжига Si : (Er,O)-диодов в диапазоне900-1100oC.