Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт физической химии им. Геровского, Чешская академия наук, 18223 Прага8, Чешская Республика ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Спектральная ширина линии излучения перестраиваемых током лазеров наоснове InAsSb / InAsSbP принизкой температуре
Именков А.Н., Колчанова Н.М., Кубат П., Цивиш С., Яковлев Ю.П.
Именков А.Н., Колчанова Н.М., Кубат П., Цивиш С., Яковлев Ю.П. Спектральная ширина линии излучения перестраиваемых током лазеров наоснове InAsSb / InAsSbP принизкой температуре // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 622
Аннотация Сообщается о создании перестраиваемых током диодных лазеров на основе гетероструктуры InAsSb / InAsSbP с узкой линией излучения (7-10 МГц) на диапазон длин волн3.2-3.4 мкм, работающих при низких температурах (15--60 K). Показано, что быстрая частотная модуляция излучения при низких температурах происходит только при значительных превышениях тока над пороговым значением. Это связано с тем, что плавный оптический волновод создается только при достаточном превышении концентрации неравновесных носителей заряда на боковых краях резонатора над пороговой величиной. Отмечается, что увеличение cтоком концентрации дырок вблизи p-области из-за уменьшения эффективного времени жизни носителей заряда в лазерном режиме приводит к дополнительному увеличению диапазона частотной перестройки. Приводится спектр поглощения аммиака в диапазоне волновых чисел3232-3237 см-1, измеренный с использованием созданного лазера.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален