Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт физической химии им. Геровского, Чешская академия наук, 18223 Прага8, Чешская Республика
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Спектральная ширина линии излучения перестраиваемых током лазеров наоснове InAsSb / InAsSbP принизкой температуре
Именков А.Н., Колчанова Н.М., Кубат П., Цивиш С., Яковлев Ю.П. Спектральная ширина линии излучения перестраиваемых током лазеров наоснове InAsSb / InAsSbP принизкой температуре // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 622
Аннотация
Сообщается о создании перестраиваемых током диодных лазеров на основе гетероструктуры InAsSb / InAsSbP с узкой линией излучения (7-10 МГц) на диапазон длин волн3.2-3.4 мкм, работающих при низких температурах (15--60 K). Показано, что быстрая частотная модуляция излучения при низких температурах происходит только при значительных превышениях тока над пороговым значением. Это связано с тем, что плавный оптический волновод создается только при достаточном превышении концентрации неравновесных носителей заряда на боковых краях резонатора над пороговой величиной. Отмечается, что увеличение cтоком концентрации дырок вблизи p-области из-за уменьшения эффективного времени жизни носителей заряда в лазерном режиме приводит к дополнительному увеличению диапазона частотной перестройки. Приводится спектр поглощения аммиака в диапазоне волновых чисел3232-3237 см-1, измеренный с использованием созданного лазера.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален