Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Роль вакансий кремния вформировании барьеров Шоттки наконтактах Ag иAu с3C- и6H-SiC

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В., Таиров Ю.М.

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В., Таиров Ю.М. Роль вакансий кремния вформировании барьеров Шоттки наконтактах Ag иAu с3C- и6H-SiC // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 690

Аннотация Модифицированная модель Людеке, предполагающая, что за формирование барьера Шоттки ответственны дефектные состояния на границе, применена к расчету высоты барьеров Phinb в системах Ag, Au / 3C-, 6H-SiC. Получено отличное согласие с данными эксперимента. Расчет показал также, что концентрация кремниевых вакансий, которые и определяют величину Phinb, слабо зависит от природы металлического компонента контакта.