Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизический институт им.П.Н.Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Определение концентрации глубоких центров вдиодах Шоттки свысоким барьером принестационарной спектроскопии глубоких уровней

Агафонов Е.Н., Георгобиани А.Н., Лепнев Л.С.

Агафонов Е.Н., Георгобиани А.Н., Лепнев Л.С. Определение концентрации глубоких центров вдиодах Шоттки свысоким барьером принестационарной спектроскопии глубоких уровней // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 693

Аннотация Проанализировано влияние высоты барьера Шоттки, энергетического положения глубоких уровней, концентраций глубоких и мелких дефектов, температуры и прикладываемых к образцу напряжений на вид выражения, определяющего концентрацию глубоких центров в диодах Шоттки с высоким барьером при измерениях методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней. На основе результатов анализа предложена методика определения концентрации глубоких центров, подходящая как для \glqq нормальных\grqq, так и для \glqq аномальных\grqq уровней.