Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия * Университет им.П. иМ.Кюри, 75252 Париж, Франция ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Спонтанное и вынужденное излучение тонкопленочных нанорезонаторов ZnO--SiO2--Si, полученных методом магнетронного напыления

Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Бартхоу К., Беналул П.

Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Бартхоу К., Беналул П. Спонтанное и вынужденное излучение тонкопленочных нанорезонаторов ZnO--SiO2--Si, полученных методом магнетронного напыления // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 741

Аннотация Проведены исследования спектров спонтанного и вынужденного излучения в нанослоях оксида цинка на окисленном кремнии при оптической накачке. Наблюдался режим одномодовой лазерной генерации ультрафиолетового излучения с длиной волны 397 нм на связанной продольной моде пленки ZnO при комнатной температуре. Найдены оптимальные параметры тонкопленочных нанорезонаторов типа ZnO--SiO2--Si для понижения порога и реализации одномодового режима лазерной генерации.