Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербугский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия *Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербуг, Россия &#36;Электрон Оптроник, 194223 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе 4H-SiC, ионно-легированного алюминием

Виолина Г.Н., Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Онушкин Г.А., Коссов В.Г., Яфаев Р.Р., Халлен А., Константинов А.О.

Виолина Г.Н., Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Онушкин Г.А., Коссов В.Г., Яфаев Р.Р., Халлен А., Константинов А.О. Фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе 4H-SiC, ионно-легированного алюминием // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 746

Аннотация Исследованы фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе ионно-легированного алюминием 4H-SiC, сформированных в слаболегированных эпитаксиальных слоях n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксии. Показано, что такие фотодетекторы удачно сочетают достоинства фотоструктур, сформированных на основе барьеров Шоттки и эпитаксиальных p-n-переходов. Результаты теоретического расчета спектральных характеристик ионно-легированных фотодетекторов находятся вхорошем согласии с экспериментальными данными. Структуры обладают близкой к 100% эффективностью собирания неравновесных носителей заряда в спектральном диапазоне энергии квантов 3.5--4.25 эВ.