Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия $Электрон Оптроник, 194223 Санкт-Петербург, Росс
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Карбидкремниевые детекторы частиц высокой энергии
Виолина Г.Н., Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Коссов В.Г., Яфаев Р.Р., Халлен А., Константинов А.О. Карбидкремниевые детекторы частиц высокой энергии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 750
Аннотация
Представлены результаты исследования 4H-SiC ионно-легированных алюминием p+-n-переходов в качестве детекторов частиц высокой энергии. Переходы созданы на основе эпитаксиальных пленок SiC, изготовленных методом газотранспортной эпитаксии. Концентрация нескомпенсированных доноров в исходном материале составляла (3-5)· 1015 см-3, диффузионная длина носителей заряда Lp=2.5 мкм. Детекторы облучались alpha-частицами с энергией 4.8--5.5 МэВ при 20oC. Эффективность собирания наведенного заряда достигала величины0.35. Анализируются возможности работы SiC-детекторов при повышенных температурах ~500oC.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален