Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Ванье-штарковская локализация вестественной сверхрешетке политипов карбида кремния
Санкин В.И. Ванье-штарковская локализация вестественной сверхрешетке политипов карбида кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 769
Аннотация
Приведены результаты исследования политипов карбида кремния в сильных электрических полях. Показано, что наличие естественной сверхрешетки в политипах карбида кремния приводит к минизонной структуре зоны проводимости, что в свою очередь вызывает серию эффектов, а именно отрицательную дифференциальную проводимость в режиме блоховских осцилляций, электрон-фононные резонансы, локализацию нижней минизоны, резонансное туннелирование между первой и второй минизонами, дырочную монополию ударной ионизации в широкой области полей, аномально высокие поля лавинного пробоя с отрицательной температурной зависимостью напряжения пробоя и многие другие оригинальные эффекты. Заметим, что все перечисленное является составной частью единого процесса ванье-штарковской локализации, который возникает по мере возрастания средней величины электрического поля от 100 до 2900 кВ/см (максимальная величина поля в резком p-n-переходе была вдвое больше).
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален