Библиотека » Публикация (база данных scholar.ru)

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияВоронежский государственный университет (кафедра физики твердого тела, физический факультет), 394693 Воронеж, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


E0-спектры фотоотражения полупроводниковых структур свысокой плотностью состояний вобласти границы раздела
Кузьменко Р.В., Домашевская Э.П.
Кузьменко Р.В., Домашевская Э.П. E0-спектры фотоотражения полупроводниковых структур свысокой плотностью состояний вобласти границы раздела // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 838
Аннотация При помощи анализа экспериментальных спектров фотоотражения образцов Ga2Se3/n-GaAs, изготовленных при длительном отжиге подложек GaAs (концентрация электронов n~ 1017 см-3) в парах Se, установлен эффект отсутствия фотонапряжения в области границы раздела. Фотогенерация неравновесных носителей заряда вподложке приводит не к изменению положения уровня Ферми в области границы раздела, а только к модуляции глубины области пространственного заряда вGaAs. Данные количественного анализа экспериментальных спектров также показывают, что образование толстого (~ 1 мкм) слоя Ga2Se3 не приводит к ожидаемому эффекту изменения положения уровня Ферми по сравнению с естественно окисленной поверхностью.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален