Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственый технологический институт, 198013 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Эффект переключения в гетеропереходах Si--CdS, синтезированных врезко неравновесных условиях

Беляев А.П., Рубец В.П.

Беляев А.П., Рубец В.П. Эффект переключения в гетеропереходах Si--CdS, синтезированных врезко неравновесных условиях // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 843

Аннотация Сообщается о результатах исследования электрических свойств и процессов формирования гетеропереходов на охлажденной до отрицательных температур подложке из кристаллического кремния. Приводятся данные технологических, электронографических и электрических исследований. Выявлен эффект переключения проводимости в гетеропереходах на основе двухфазных пленок сульфида кадмия и определены режимы формирования аморфных и аморфных с кристаллическими включениями пленокCdS. Показано соответствие результатов солитонной модели.