Профиль » Публикация

Аннотация Теоретически проанализирован магнитодиодный эффект в плоской p-i-n-диодной структуре, сопровождаемый междолинным перераспределением электронов около ее холловских поверхностей, на которых происходит рекомбинация неравновесных носителей заряда. Показано, что учет суперпозиции поперечных потоков носителей заряда, обусловленных силой Лоренца, с одной стороны, и междолинным перераспределением, с другой, позволяет объяснить такие наблюдаемые в экспериментах при азотных и гелиевых температурах особенности вольт-амперных характеристик Ge- иSi-p-i-n-структур как: 1)сублинейные вольт-амперные характеристики, имеющие место при низких температурах как в отсутствие, так и при наличии магнитного поля; 2)появление высокой полярной магниточувствительности при больших электрических полях (при комнатных температурах полярная магниточувствительность при переходе от слабых электрических полей к сильным пропадает).