Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Поведение заряда вскрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе вэлектрических полях

Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А.

Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А. Поведение заряда вскрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе вэлектрических полях // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 853

Аннотация Исследовано поведение заряда в скрытом окисле структур кремний-на-изоляторе, полученых по технологии Dele-Cut, методом выдержки под напряжением при напряженности электрического поля 2--5.5 МВ/см. Обнаружено присутствие в окисле подвижного положительного заряда, перемещающегося под действием приложенного напряжения. Ожидаемого накопления заряда в окисле не обнаружено. Оба наблюдаемых эффекта, по нашему предположению, обусловлены взаимодействием остаточного водорода, присутствующего в окисле в процессе изготовления структур, с ловушками в термически выращенном окисле. Врезультате в скрытом диэлектрике структуры происходит пассивация ловушек и вводится подвижный при комнатной температуре заряд.