Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики Азербайджанской национальной академии наук, 370143 Баку, Азербайджан * Гянджинский государственный университет, 374700 Гянджа, Азербайджан ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование влияния электронного облучения наструктуру GaSe--SiO2 спектроскопическими методами

Ибрагимов Т.Д., Джафарова Э.А., Сафаров З.Б.

Ибрагимов Т.Д., Джафарова Э.А., Сафаров З.Б. Исследование влияния электронного облучения наструктуру GaSe--SiO2 спектроскопическими методами // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 858

Аннотация Методами оже-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована структура GaSe--SiO2 до и после облучения электронами с энергией4.0 МэВ и дозой облучения 3.0·1015 см-2. Показано, что после облучения толщина переходного слоя структуры уменьшается, а окисная пленка становится более однородной. Объяснением одной из причин таких изменений может служить радиационно-стимулированное геттерирование атомов галлия к границе раздела структуры, играющей роль стока.