Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
\flqq Иммерсионные\frqq инфракрасные светодиоды соптическим возбуждением наоснове узкозонных полупроводниковA IIIB V
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талала -кин Г.Н. \flqq Иммерсионные\frqq инфракрасные светодиоды соптическим возбуждением наоснове узкозонных полупроводниковA IIIB V // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 881
Аннотация
Приведены спектральные характеристики и мощность излучения светодиодов для диапазона длин волн 3.3-7 мкм, изготовленных из структур, содержащих узкозонные слои In(Ga)As, InAsSb(P) или InAs на подложке n+-InAs (ширина полосы ~ lambdamax/10) илиInSb (ширина полосы ~1 мкм), в которых накачка осуществлялась с помощью светодиода из арсенида галлия. Всветодиодах с иммерсионными линзами получен коэффициент преобразования 0.08-3 мВт/А, сравнимый или превосходящий данные для ряда инжекционных светодиодов.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален