Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияСибирский физико-технический институт им. В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Аморфизация приповерхностной области эпитаксиального n-GaAs подвоздействием атомарного водорода
Торхов Н.А., Ивонин И.В., Черников Е.В. Аморфизация приповерхностной области эпитаксиального n-GaAs подвоздействием атомарного водорода // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 885
Аннотация
Было получено, что обработка образцов эпитаксиального n-GaAs изначально свысоким качеством поверхности ватомарном водороде как при наличии, так и при отсутствии на поверхности n-cлоя защитной пленки SiO2 может приводить каморфизации поверхности и тонкого ~ 7 нм приповерхностного слоя, что сопровождается образованием гидридной фазы. Отсутствие водородной подрешетки вприповерхностном слое может указывать на то, что основными движущими силами впроцессе аморфизации эпитаксиального n-GaAs являются химические вазимодействия ближнего порядка между атомами водорода, а также между атомами водорода и атомами основной матрицы кристалла.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален