Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Контроль параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs принизких температурах роста

Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р.

Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Контроль параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs принизких температурах роста // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 897

Аннотация Фазовые диаграммы поверхностных структур GaAs (001) использованы для калибровки датчиков температуры подложки и потока As вустановках молекулярно-лучевой эпитаксии. Измерена температура сублимации слоя аморфного мышьяка, адсорбированного на поверхность арсенида галлия. Показано, что данная температура постоянна и не зависит от скорости нагрева подложки, толщины осажденного слоя, вакуумных условий внутри установки молекулярно-лучевой эпитаксии и может быть использована вкачестве реперной точки при калибровке температуры подложки вобласти низких температур роста.