Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 Организация* Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Россия Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова (физический факультет), 119899 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Опорогах возникновения неупругих деформаций вповерхностных слояхSi иGaAs примногократном импульсном лазерном облучении

Винценц С.В., Зотеев А.В., Плотников Г.С.

Винценц С.В., Зотеев А.В., Плотников Г.С. Опорогах возникновения неупругих деформаций вповерхностных слояхSi иGaAs примногократном импульсном лазерном облучении // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 902

Аннотация Бесконтактным локальным фотоакустическим методом, базирующимся на спектроскопии отклонения лазерных лучей, впервые оценены в микронных областяхSi иGaAs величины 10-5