Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия *Якутский государственный университет, 677891 Якутск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Энергии диссоциации комплекса CiCs и A-центра вкремнии

Бояркина Н.И., Смагулова С.А., Артемьев А.А.

Бояркина Н.И., Смагулова С.А., Артемьев А.А. Энергии диссоциации комплекса CiCs и A-центра вкремнии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 907

Аннотация Рассмотрены реакции отжига комплексов межузельного атома углерода с углеродом замещения (CiCs) и A-центра (VO) в n-Si, облученном быстрыми электронами или gamma-квантами 60Co. Сделан расчет кинетики изохронного отжига этих центров. Путем сопоставления результатов расчета с литературными экспериментальными данными, полученными при измерениях концентрации центра с уровнем Ec-0.17 эВ в процессе изохронного отжига облученного n-Si, определено значение энергии диссоциации комплекса CiCs: ECiCs=(1.10±0.05) эВ. Энергия активации отжига этого центра EaCiCs~ 2.0 эВ. Сделана оценка энергии диссоциации A-центра: EA=1.94 эВ.