Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
Организация* Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Россия Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова (физический факультет), 119899 Москва, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Низкопороговое дефектообразование имодификация поверхностных слоев германия приупругих иупруго-пластических воздействиях импульсного лазерного луча
Винценц С.В., Зайцев В.Б., Зотеев А.В., Плотников Г.С., Родионов А.И., Червяков А.В. Низкопороговое дефектообразование имодификация поверхностных слоев германия приупругих иупруго-пластических воздействиях импульсного лазерного луча // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 947
Аннотация
Проведены измерения изменений спектров флуоресценции адсорбированных на поверхности германия молекул красителя (родаминаB), атакже изменений параметров комбинационного и диффузного рассеяния света при упругом и упруго-пластическом действии на полупроводник импульсного лазерного луча. Амплитуда пороговых деформаций~ 5· 10-5 оценена из бесконтактных фотоакустических измерений поверхностных деформаций при помощи спектроскопии отклонения лазерных лучей. Вобласти плотности энергий, соответствующих переходу к неупругим деформациям, наблюдалось значительное тушение флуоресценции адсорбированных молекул--- зондов, резкое уширение молекулярных спектров свечения, а также надпороговый рост интенсивности диффузно рассеянного света. Сростом деформаций полупроводника, инициированных импульсным лазерным лучом, уменьшались частотный сдвиг и ширина линий комбинационного рассеяния света, а также росла их интенсивность. Обсуждается природа эффектов.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален