Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, 198504 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Туннелирование электронов через двойной барьер вструктуре металл--окисел--кремний при обратном смещении

Карева Г.Г., Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф.

Карева Г.Г., Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. Туннелирование электронов через двойной барьер вструктуре металл--окисел--кремний при обратном смещении // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 953

Аннотация Изучается комплекс эффектов в МОП структурах металл/туннельно-тонкий SiO2/p+-Si, связанных с туннелированием электронов из валентной зоны объема Si в металл через два последовательно расположенных туннельно-прозрачных барьера: барьер обедненной области пространственного заряда Si и барьер SiO2 с возможным промежуточным участием квантовой ямы, образованной зоной проводимостиSi. Врамках простой модели, учитывающей данный механизм токопереноса, рассчитаны вольт-амперные характеристики структур для режима чистого обеднения, т. е. в пренебрежении зарядом инверсионного слоя. Обсуждена связь параметров структуры--- уровня легирования p-Si, толщины окисла--- с относительной ролью токов нерезонансного и резонансного (через размерно-квантованные уровни в зоне проводимостиSi) туннелирования в балансе токов в МОП структуре. Сформулированы условия, наиболее благоприятные для наблюдения резонансных эффектов.