Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Изопериодные структуры GaInPAsSb/InAs дляприборов инфракрасной оптоэлектроники

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Шустов В.В., Кузнецов В.В., Когновицкая Е.А.

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Шустов В.В., Кузнецов В.В., Когновицкая Е.А. Изопериодные структуры GaInPAsSb/InAs дляприборов инфракрасной оптоэлектроники // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 1010

Аннотация Сообщается о получении пятикомпонентного твердого раствора Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87 с шириной запрещенной зоны 695 мэВ (77 K) и640 мэВ (300 K) изопериодного сInAs. Показано, что в структуре InAs/Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87 реализуется гетеропереход IIрода. Полученный твердый раствор был использован для создания прототипов светодиода и фотодиода с максимумом интенсивности излучения и фоточувствительности в области 1.9 мкм.