Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизм диффузии Cu вдоль поверхности Si(110)

Долбак А.Е., Жачук Р.А., Ольшанецкий Б.З.

Долбак А.Е., Жачук Р.А., Ольшанецкий Б.З. Механизм диффузии Cu вдоль поверхности Si(110) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1031

Аннотация Методами электронной оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов исследован механизм диффузии Cu вдоль атомарно-чистой поверхности кремния (110) вдиапазоне температур 500-650oC. Показано, что перенос меди вдоль поверхности кремния осуществляется путем ее диффузии через объем кремния исегрегации атомов меди на поверхность впроцессе диффузии. Получены зависимости эффективных коэффициентов диффузии Cu вдоль поверхности Si(110) от температуры. Проводится сравнение результатов, полученных на поверхностях Si(110) срезультатами, полученными ранее на поверхности Si(111).