Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова (физический факультет), 119899 Москва, Россия * Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия &#36; Институт проблем технологии микроэлектроник ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Катодолюминесценция гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/alpha -Al2O3, полученных методом химического транспорта

Чукичев М.В., Атаев Б.М., Мамедов В.В., Аливов Я.И., Ходос И.И.

Чукичев М.В., Атаев Б.М., Мамедов В.В., Аливов Я.И., Ходос И.И. Катодолюминесценция гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/alpha -Al2O3, полученных методом химического транспорта // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1052

Аннотация Проведены сравнительные исследования катодолюминесцентных свойств пленок ZnO в гетероэпитаксиальных структурах ZnO/GaN/alpha-Al2O3 и ZnO/alpha-Al2O3, выращенных методом химических транспортных реакций в проточном реакторе пониженного давления. Установлена сверхлинейная зависимость интенсивности экситонной полосы спектра катодолюминесценции структур ZnO/GaN/alpha-Al2O3 от тока электронного пучка, свидетельствующая о стимулированном характере излучения при относительно низких пороговых значениях уровня возбуждения. Показано, что пленкиZnO, выращенные наGaN, обладают значительно более эффективной катодолюминесценцией по сравнению с пленками на alpha-Al2O3. Обнаружена высокая термостойкость люминесцентных свойств слоевZnO в структурах ZnO/GaN/alpha-Al2O3, подвергнутых длительной термообработке при 750oC в атмосфере кислорода.