Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Department of Electrical and Computer Engineering University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093-0407, USA ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Экспериментальное наблюдение расщепления уровней энергии легких итяжелых дырок вупругонапряженном GaAsN

Егоров А.Ю., Семенова Е.С., Устинов В.М., Hong Y.G., Tu C.

Егоров А.Ю., Семенова Е.С., Устинов В.М., Hong Y.G., Tu C. Экспериментальное наблюдение расщепления уровней энергии легких итяжелых дырок вупругонапряженном GaAsN // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1056

Аннотация Обнаружено существование двух пиков вспектрах фотолюминесценции слоев твердого раствора GaAsN, выращенных на подложке GaAs, при комнатной температуре. Расстояние между пиками увеличивается сростом содержания азота втройном твердом растворе. Присутствие вспектрах двух переходов сучастием легкой итяжелой дырки предложено вкачестве объяснения такого вида спектров фотолюминесценции. Эффект расщепления уровней энергии легкой итяжелой дырок обусловлен действием упругой деформации слоев GaAsN при выращивании их на поверхностиGaAs.