Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияБорисоглебский государственный педагогический институт, 397160 Борисоглебск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптическая память гетероструктурыn-InSb--SiO2--p-Si

Никольский Ю.А.

Никольский Ю.А. Оптическая память гетероструктурыn-InSb--SiO2--p-Si // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1065

Аннотация В гетероструктуре n-InSb--SiO2--p-Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической памяти--- наличие потенциальных барьеров и глубоких ловушек. Коэффициент памяти, измеренный на прямой ветви вольт-амперной характеристики, составляет максимальную величину~104. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их.