Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Полевая зависимость фоточувствительности МДП структур In--SiO2--Cd0.28Hg0.72Te снепрозрачным полевым электродом

Васильев В.В., Кравченко А.Ф., Машуков Ю.П.

Васильев В.В., Кравченко А.Ф., Машуков Ю.П. Полевая зависимость фоточувствительности МДП структур In--SiO2--Cd0.28Hg0.72Te снепрозрачным полевым электродом // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1068

Аннотация Продолжено исследование фоточувствительности МДП структуры In--SiO2--Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом. Рассматривается эффект резкого уменьшения фоточувствительности при повышении инвертирующего напряжения, который проявляется как при немодулированном освещении (измерение фотоемкости), так и при модулированном (измерение фотоэдс), причем фотоэдс начинает спадать раньше, чем фотоемкость. Эффект обусловлен, по нашему мнению, аномальной генерацией на границе полупроводник--диэлектрик, в результате которой уменьшается сопротивление индуцированного p-n-перехода, а также возрастанием продольного сопротивления инверсионного слоя.