Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Адсорбция итрансформация молекулC60 наповерхности (100)Si

Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я.

Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Адсорбция итрансформация молекулC60 наповерхности (100)Si // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1084

Аннотация Всверхвысоковакуумных условиях изучена адсорбция, начальные стадии роста пленок из молекулC60 иих трансформация на поверхности (100) Si винтервале температур 300-1400 K. Показано, что молекулы C60 сохраняют свою природу вадсорбированном состоянии вплоть до700 K, при больших температурах происходит их постепенный распад, при~1300 K высвободившиеся атомы углерода полностью \glqq забывают\grqq освоем происхождении иобразуют карбид кремния, растущий вглубь образца. При комнатной температуре рост пленки фуллерита идет по механизму, близкому кмеханизму Странского--Крастанова, собразованием кристаллитов поверх монослойного покрытия. Занимаемая кристаллитами доля площади слабо зависит от времени экспозиции исоставляет50-60%.