Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотолюминесцентные и электронные свойства пленок нанокристаллического кремния, легированного золотом

Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Кириллова С.И., Манойлов Э.Г., Примаченко В.Е., Свечников С.В., Венгер Е.Ф.

Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Кириллова С.И., Манойлов Э.Г., Примаченко В.Е., Свечников С.В., Венгер Е.Ф. Фотолюминесцентные и электронные свойства пленок нанокристаллического кремния, легированного золотом // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1105

Аннотация Легирование золотом пленок нанокристаллического кремния (nc-Si), полученных лазерной абляцией, существенно подавляет безызлучательный канал рекомбинации носителей заряда и экситонов, приводит к возрастанию интенсивности, стабильности видимой фотолюминесценции, к усилению низкоэнергетической (1.5-1.6 эВ) полосы фотолюминесценции. Легирование снижает величину фотоэдс и захват электронов на ловушки в пленке, а также уменьшает плотность граничных электронных состояний и концентрацию глубоких ловушек для электронов на подложке монокристаллического кремния (c-Si). Наблюдаемое влияние легирования на фотолюминесцентные и электронные свойства пленок nc-Si и структур nc-Si/c-Si обусловлено процессами пассивации золотом оборванных связей кремния и доокисления кремния на поверхности нанокристаллов и формированием высокобарьерных слоевSiO2.