Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195257 Санкт-Петербург, Россия $Hahn--Meithner Institute, D-12489 Berlin, Germany
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Фотоэлектрические явления всолнечных элементах ZnO(ITO)/a-Si : H(n)/c-Si(p)/Al
Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fuhs W., Froitzheim A. Фотоэлектрические явления всолнечных элементах ZnO(ITO)/a-Si : H(n)/c-Si(p)/Al // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1128
Аннотация
На подложках монокристаллического кремния получены солнечные элементы Al/ZnO/a-Si : H(n)/c-Si(p)/Al и Al/ITO/a-Si : H(n)/c-Si(p)/Al. Исследованы фотоэлектрические свойства полученных солнечных элементов в естественном и линейно поляризованном излучении при T=300 K. Обнаружена поляризационная фоточувствительность солнечных элементов, возникающая в условиях наклонного падения линейно поляризованного излучения. Установлены главные закономерности наведенного фотоплеохроизма солнечных элементов с просветляющими покрытиямиZnO иITO. Обнаружены осцилляции в спектре наведенного фотоплеохроизма, которые связываются с интерференционными явлениями в пленках окислов. Полученные результаты показывают возможность применения солнечных элементов в качестве селективных фотоанализаторов, а метод поляризационной спектроскопии может обеспечить эффективный мониторинг просветляющих покрытий солнечных элементов.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален