Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияМосковский государственный инженерно-физический институт (Технический университет), 115409 Москва, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Высокочастотный отклик инелинейная когерентная генерация резонансно-туннельного диода вшироком интервале частот сучетом межэлектронного взаимодействия
Елесин В.Ф., Катеев И.Ю., Подливаев А.И. Высокочастотный отклик инелинейная когерентная генерация резонансно-туннельного диода вшироком интервале частот сучетом межэлектронного взаимодействия // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1133
Аннотация
Врамках последовательной квантово-механической модели численно найдены отклик и мощность когерентной генерации резонансно-туннельного диода в широком интервале частот с учетом межэлектронного взаимодействия. Показано, что \glqq квантовый режим\grqq генерации сохраняется и при учете межэлектронного взаимодействия. Таким образом, возможна генерация большой мощности на частотах, превосходящих ширину резонансного уровня. В\glqq классическом \grqq режиме следует ожидать даже улучшения параметров генерации, вчастности уменьшения порога генерации. Это связано с ростом отрицательной дифференциальной проводимости из-за межэлектронного взаимодействия.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален