Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Wihury Physical Laboratory, Turku, Finland ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование распределений потенциала впрямо смещенном кремниевом диоде методом электростатической силовой микроскопии

Анкудинов А.В., Титков А.Н., Laiho R., Козлов В.А.

Анкудинов А.В., Титков А.Н., Laiho R., Козлов В.А. Исследование распределений потенциала впрямо смещенном кремниевом диоде методом электростатической силовой микроскопии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1138

Аннотация Методом электростатической силовой микроскопии изучено распределение потенциала вэпитаксиально-диффузионном n+-n-p-p+-кремниевом диоде. Исследования методом электростатической силовой микроскопии проводились на сколе диода, пересекающем формирующие его слои. Первоначально были найдены распределения потенциала иемкости по поверхности скола. По вариациям поверхностного потенциала иемкости ссубмикронным пространственным разрешением были определены положение ипротяженность n-p-перехода ипрослежено распределение вдиоде приложенного прямого смещения. Обнаружено существование висследовавшейся структуре заметного дополнительного потенциального барьера вобласти n+-n-перехода сподложкой. При плотности тока инжекции более 100 мА/см2 падение потенциала на этом барьере становится сопоставимым сизменениями потенциала на рабочем n-p-переходе.