Профиль » Публикация

Аннотация Исследовались образцы n-Si, полученные методом зонной плавки, сконцентрацией фосфора ~6·1013 см-3, облученные электронами сэнергией 2 МэВ ипротонами сэнергией 25 МэВ. Показано, что кинетика изохронного отжига A-центров идивакансией (температура отжига иперестройка радиационных дефектов, когда диссоциация одних приводит кобразованию более стабильных центров) сложным образом зависит от энергии, дозы итемпературы облучения, т. е. от соотношения концентраций различных радиационных дефектов изарядового состояния вступающих вреакции первичных радиационных дефектов при взаимодействии друг сдругом, спримесными атомами иразупорядоченными областями. Увеличение концентрации дивакансий вобласти 180-210oC объясняется диссоциацией разупорядоченных областей.